【产品推荐】半导体检查、晶片检查LLBKC-BA-1650

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特性

●可照射NIR（近红外波长740nm~1000nm）SWIR（短波红外波长1000nm～1700nm）区域的光源BOX

●使用NIR/SWIR光也可以实现在可见光下难以拍摄的同色异物识别和封装印刷物的透过拍摄

●SWIR光可用于有效利用硅的透过和水的波长吸收特性的检查

※为了拍摄需要铟·砷化镓（InGaAs）传感器相机

用途示例

半导体检查、晶片检查、电子基板检查、

太阳能电池检查、农产品检查、识别分类、监视、防伪、工程质量管理

发射波长

740nm

850nm

940nm

1,050纳米

1,100纳米

1,200纳米

1,300纳米

1,450纳米

1,550纳米

1,650纳米