【光源科普】光刻胶与紫外线的关系

 【光源科普】光刻胶与紫外线的关系

紫外光深入参与了半导体制造过程中光刻胶的曝光步骤。
曝光工艺是将光刻胶曝光并将设计的图案转移到基板上的重要步骤。
紫外线改变光刻胶的分子结构并改变曝光区域的溶解度,
形成电路图案。
用于曝光的紫外线有多种波长,但常用的是以下类型:
 
i 线 (365 nm)
:当不需要非常精细的图案时使用。
KrF 线 (248 nm)
:适合需要高分辨率的情况。
ArF 线 (193 nm)
:需要更高分辨率时使用。
极紫外光(13.5 纳米)
:采用尖端微加工技术,实现极高的分辨率
紫外线的波长越短,可以形成的图案分辨率越高。