【光源科普】极紫外 (EUV) 和半导体
【光源科普】极紫外 (EUV) 和半导体
极紫外 (EUV) 是波长为13.5纳米的极短紫外线
它具有与X射线相似的特性。
采用尖端微加工技术，实现极高的分辨率。
极紫外（EUV）技术的开发是为了实现传统光刻技术难以实现的下一代超精细加工。
极紫外 (EUV) 和半导体
在半导体制造的光刻技术中，紫外光的波长越短，可以形成更高分辨率的图案。
ArF准分子激光器（波长：193纳米）主要用于半导体制造。
ArF光刻利用浸没技术实现了45纳米以下的微细加工，
但进一步小型化还存在限制。
EUV光刻技术的引入使得形成22纳米或更小的电路图案成为可能，这在以前是很困难的。
这提高了半导体的性能并节省了能源，
从而提高了智能手机和计算机的处理能力。
另一方面，EUV光刻仍然面临光源成本和技术问题。
大规模生产的进一步开发正在进行中。
尽管极紫外（EUV）技术与ArF浸没技术相比具有更高的分辨率，但它仍然是一项正在开发中的技术。
进一步提高光源的输出并开发利用高输出光源的微加工技术正在取得进展。